-
1 Czochralski method
1) Бытовая техника: метод Чохральского2) Макаров: метод выращивания монокристаллов Чохральского, метод Чохральского (в выращивании полупроводниковых кристаллов), метод Чохральского (выращивания монокристаллов), метод Чохральского (метод выращивания кристаллов по Чохральскому) -
2 monocrystals growing
выращивание монокристаллов
Получение (изготовл.) вещ-в в виде объемных монокристаллов или монокристаллич. эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы.
В основе методов в. м.из расплавов — кристаллизация в тепловом поле, имеющем заданный градиент темп-ры, к-рый определяет направление потока тепла и, соответственно, направление кристаллизации. Такая кристаллизация называется направленной кристаллизацией.
На рис. 1, а приведена схема вертик. устр-ва для выращивания монокристаллов методом Бриджмена. Процесс направленной кристаллизации ведется в герметичных ампулах-контейнерах, в к-рых создан или вакуум, или атмосфера инертного газа. Обычно в кач-ве зародыша кристаллизации используют небольшой монокристалл вещ-ва необходимой кристаллографич. ориентации, который получил название затравки 5. Для направленной кристаллизации перемещают ампулу 2 относит, градиентного темп-рного поля. Такое перемещение достигается или опусканием ампулы 2, или подъемом узла нагрева 1. Диам. монокристалла определяется геометрич. размерами ампулы. При использовании ампул из кварца наиб. размер монокристаллов в попереч. сечении редко превышает 50 мм.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > monocrystals growing
-
3 single crystals growing
выращивание монокристаллов
Получение (изготовл.) вещ-в в виде объемных монокристаллов или монокристаллич. эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы.
В основе методов в. м.из расплавов — кристаллизация в тепловом поле, имеющем заданный градиент темп-ры, к-рый определяет направление потока тепла и, соответственно, направление кристаллизации. Такая кристаллизация называется направленной кристаллизацией.
На рис. 1, а приведена схема вертик. устр-ва для выращивания монокристаллов методом Бриджмена. Процесс направленной кристаллизации ведется в герметичных ампулах-контейнерах, в к-рых создан или вакуум, или атмосфера инертного газа. Обычно в кач-ве зародыша кристаллизации используют небольшой монокристалл вещ-ва необходимой кристаллографич. ориентации, который получил название затравки 5. Для направленной кристаллизации перемещают ампулу 2 относит, градиентного темп-рного поля. Такое перемещение достигается или опусканием ампулы 2, или подъемом узла нагрева 1. Диам. монокристалла определяется геометрич. размерами ампулы. При использовании ампул из кварца наиб. размер монокристаллов в попереч. сечении редко превышает 50 мм.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > single crystals growing
-
4 Bridgman method
1) Электроника: метод Бриджмена-Стокбаргера, метод Обреимова-Шубникова2) Бытовая техника: метод Бриджмена -
5 single crystal technique
Универсальный англо-русский словарь > single crystal technique
-
6 Tiegelzüchtungsverfahren
сущ.Универсальный немецко-русский словарь > Tiegelzüchtungsverfahren
-
7 plasma metallurgy
плазменная металлургия
Неорганич. полупроводниковых вещ-в и материалов и изделий из них с задан. св-вами.
Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940-х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ-в и материалов весьма обширен (см. Полупроводниковые вещества). Для их получения применяются как методы, основ, на кристаллизации расплавов, так и методы кристаллизации из паровой (газ.) фазы. Компактные слитки и изделия можно изготовлять тж. прессованием порошков, экструзией и др. известными в металлургии методами. Полупроводниковые вещ-ва могут иметь монокристаллич., поликристаллич., нанокристаллич. и аморфную структуры.
Задача обеспеч. вые. чистоты конечного продукта от неконтролир. примесей наиб, важна в произ-ве полупроводниковых материалов. При получении (синтезе) полупроводниковых материалов использ. высокочистые исх. химич. элементы или высокочистые химич. соединения. Технологич. операции при необходимости осуществл. в спец. чистых произ-венных помещениях и боксах. Соблюдаются соответст. условия технологич. гигиены. Разработаны и использ. разнообразные методы изготовления высокочистых вещ-в и материалов: ректификац. очистка, дистилляция, возгонка, очистка на ионообменных смолах, очистка методами электрохимии, кристалли-зац. методы очистки и др. Для получения высокочистых химич. элементов или вещ-в широко применяются методы водородного восстановления, термич. разложения предварит, очищ. химич. соединений. Для выращивания монокристаллов из расплавов использ. методы Чохральского, Бриджмена, бестигельной зонной плавки, горизонт, зонной плавки. Для выращивания из паровой фазы — метод сублимации, метод газотранспортных химич. реакций, метод термич. разложения паров химич. соединений и др. Слои и пленки выращ. методами газ., жидкофазной, молекулярно-лучевой эпитаксии и рядом др. способов. Технологич. процессы и оборудование, использ. в произ-ве полупроводниковых материалов, позволяют получать малодислокац., с плотностью дислокаций s 103 см~2, и бездислокац. полупроводниковые материалы с вые. однородностью св-в. Напр., монокристаллы Si выращивают бездислокац., и при диам. 200 мм неоднородность св-в не превышает 2-5 %.
Исходя из уровня требований к кач-ву продукции и тех технологич. приемов и оборудования, с помощью к-рых достигается
необх. кач-во продукции, п. м. можно отнести к прециз. По объему выпускаемой продукции — это малотоннажное произ-во. Напр., выпуск монокристаллов Si в мировом масштабе составлял в 1994 г. ок. 7500 т. На рынок кремний большей частью поступает в виде пластин, произ-во к-рых достигло в 1994 г. около 15 млрд. см2, когда произв-во германия составляло ок. 100 т в год, арсенида галлия — десятки т, фосфидов индия и галлия — ед. т.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > plasma metallurgy
-
8 Czochralski-Verfahren
сущ.3) микроэл. метод выращивания кристаллов по Чохральскому, метод вытягивания кристаллов по ЧохральскомуУниверсальный немецко-русский словарь > Czochralski-Verfahren
-
9 traveling solvent
2) Силикатное производство: перемещающийся растворитель (для выращивания монокристаллов) -
10 Einkristallzieheinrichtung
сущ.микроэл. установка для выращивания монокристаллов, установка для вытягивания монокристалловУниверсальный немецко-русский словарь > Einkristallzieheinrichtung
-
11 machine de tirage de monocristaux
сущ.радио. установка для выращивания монокристаллов, установка для вытягивания монокристалловФранцузско-русский универсальный словарь > machine de tirage de monocristaux
-
12 crystal grower
2) Макаров: специалист по выращиванию кристаллов -
13 crystal puller
2) Микроэлектроника: установка для выращивания монокристаллов методом вытягивания -
14 Züchtungsverfahren
сущ.1) электр. метод выращивания (кристаллов)2) микроэл. метод вытягивания, метод выращивания (монокристаллов) -
15 tiegelfreies Züchtungsverfahren
прил.1) электр. бестигельный метод выращивания (кристаллов)2) микроэл. бестигельный метод (выращивания монокристаллов)Универсальный немецко-русский словарь > tiegelfreies Züchtungsverfahren
-
16 crystal grower
установка для выращивания кристаллов; установка для выращивания монокристаллов -
17 Bridgman method
метод( выращивания монокристаллов) БриджменаБольшой англо-русский и русско-английский словарь > Bridgman method
-
18 Czochralski method
метод( выращивания монокристаллов) ЧохральскогоБольшой англо-русский и русско-английский словарь > Czochralski method
-
19 Bridgman method
Англо-русский словарь технических терминов > Bridgman method
-
20 Czochralski method
Англо-русский словарь технических терминов > Czochralski method
- 1
- 2
См. также в других словарях:
установка выращивания монокристаллов при высоком давлении — didžiaslėgis kristalų augintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high pressure crystal grower vok. Hochdruckzüchtungsanlage, f rus. установка выращивания монокристаллов при высоком давлении, f pranc. installation pour… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ — осуществляют из газовой, жидкой и твёрдой среды (см. Кристаллизация). Выбор метода выращивания определяется областью устойчивости вещества, наличием, типом и темп рой фазовых переходов, хим. свойствами, давлением насыщенного пара и др. Большие,… … Физическая энциклопедия
МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ — проводят разл. методами, обеспечивающими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. При М. в. заранее полученные мелкие кристаллы (затравку) помещают в пересыщ. среду (пар, р р, расплав, твердое в во) и… … Химическая энциклопедия
МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ — МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ, технологическая реализация процесса кристаллизации с целью получения монокристаллов и пленок различных веществ. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, растворов, расплавов,… … Энциклопедический словарь
Выращивание монокристаллов — [single crystals (monocrystals) growing] получение (изготовление) веществ в виде объемных монокристаллов или монокристаллических эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы. В основе методов выращивания… … Энциклопедический словарь по металлургии
выращивание монокристаллов — Получение (изготовл.) вещ в в виде объемных монокристаллов или монокристаллич. эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы. В основе методов в. м.из расплавов — кристаллизация в тепловом поле,… … Справочник технического переводчика
Условия гидротермального выращивания некоторых монокристаллов — Соединение Температура, °С Давление, МПа Компонент, входящий в растворитель SiO2 300 450 40 250 Na2CO3 или NH4F … Химический справочник
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
Монокристалл — отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией (См. Анизотропия) свойств (см. Кристаллы). Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллической структурой и условиями… … Большая советская энциклопедия
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… … Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп р, включающем комнатную темп ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов. Все П. м. можно разбить на неск. групп. 1)… … Физическая энциклопедия